RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
29
Autour de 14% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.2
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
29
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
17.6
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
14.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
3573
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link