RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
29
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3573
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Corsair CM2X1024-6400 1GB
Corsair CM2X1024-6400 1GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link