RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
31
Autour de 19% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.2
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.8
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
31
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
15.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
3672
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Corsair CMSX16GX3M2B1600C9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link