RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
28
Autour de 11% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.1
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
28
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
14.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
3593
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Transcend Information JM800QLU-2G 2GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link