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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
総合得点
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
総合得点
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
28
周辺 11% 低遅延
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
18
16.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
14.1
10.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
28
読み出し速度、GB/s
16.1
18.0
書き込み速度、GB/秒
10.1
14.1
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2764
3593
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
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A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
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