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Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
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Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
総合得点
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
総合得点
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
36
周辺 31% 低遅延
考慮すべき理由
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
16
14.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.2
8.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
36
読み出し速度、GB/s
14.2
16.0
書き込み速度、GB/秒
8.1
13.2
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2307
3313
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB RAMの比較
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
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