RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Porównaj
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Wynik ogólny
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
36
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
36
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2307
3313
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMV4GX3M1A1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link