RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
34
Autour de 26% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
14.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.5
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
34
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
2588
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link