RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
34
Intorno 26% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
14.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.5
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
34
Velocità di lettura, GB/s
16.1
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
11.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
2588
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link