RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
29
Autour de 14% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.5
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.6
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
29
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
15.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
3722
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link