RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
29
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3722
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Micron Technology 16HTF25664AY-800J1 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link