RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8,883.4
16.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
44
Wokół strony -76% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
14
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
25
Prędkość odczytu, GB/s
14,740.4
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
8,883.4
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2811
3845
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link