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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Comparar
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8,883.4
16.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
44
Por volta de -76% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.1
14
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
25
Velocidade de leitura, GB/s
14,740.4
19.1
Velocidade de escrita, GB/s
8,883.4
16.7
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2811
3845
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
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Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
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