RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
31
Por volta de 19% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.1
16.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.5
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
31
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
19.1
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
15.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
3753
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link