RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
31
Intorno 19% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.1
16.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.5
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
31
Velocità di lettura, GB/s
16.1
19.1
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
15.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
3753
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link