RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
29
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
3722
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link