RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
27
Autour de 7% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.1
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.3
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
27
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
19.1
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
3040
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT151R7BFR4C
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link