RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
27
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.1
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
19.1
Скорость записи, Гб/сек
10.1
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3040
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link