RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Сравнить
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB против Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
56
Около -93% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.5
1,813.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
29
Скорость чтения, Гб/сек
4,387.7
16.7
Скорость записи, Гб/сек
1,813.5
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
693
3076
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link