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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
56
左右 -93% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.5
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
29
读取速度,GB/s
4,387.7
16.7
写入速度,GB/s
1,813.5
13.5
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
3076
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
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Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
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Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
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