RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

総合得点
star star star star star
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB 考慮すべき理由
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 16.7
    テスト平均値
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB 考慮すべき理由
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 56
    周辺 -93% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.5 left arrow 1,813.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 6400
    周辺 3.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    56 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    4,387.7 left arrow 16.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,813.5 left arrow 13.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    693 left arrow 3076

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB RAMの比較

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
メモリRAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
メモリRAM
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
メモリRAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
メモリRAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
メモリRAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
メモリRAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
メモリRAM