RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
25
Autour de -39% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.3
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.8
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
18
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
20.3
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
17.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
3507
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link