RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
31
Autour de 19% latence réduite
Raisons de considérer
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.4
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.6
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
31
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
3046
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link