RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
31
Около 19% меньшая задержка
Причины выбрать
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.4
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
16.4
Скорость записи, Гб/сек
10.1
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3046
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link