RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
33
Autour de 24% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
33
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
11.6
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
2227
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB Comparaison des RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
AMD AE34G1601U1 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link