RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
33
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
8.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
33
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
11.6
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2227
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6BFR8C
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link