Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB

Note globale
star star star star star
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Note globale
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    25 left arrow 60
    Autour de 58% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    16.1 left arrow 7.8
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    10.1 left arrow 2.8
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    17000 left arrow 12800
    Autour de 1.33 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    25 left arrow 60
  • Vitesse de lecture, GB/s
    16.1 left arrow 7.8
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    10.1 left arrow 2.8
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Description
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Timings / Vitesse d'horloge
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2764 left arrow 1505
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons