RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
75
Autour de 67% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
6.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
75
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
6.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
1548
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link