RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
75
Wokół strony 67% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
6.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
75
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
1548
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KF548C38-16 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link