RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
30
Autour de 17% latence réduite
Raisons de considérer
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.3
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.4
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
30
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
16.3
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
11.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
2953
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link