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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
30
左右 17% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.3
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.4
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
30
读取速度,GB/s
16.1
16.3
写入速度,GB/s
10.1
11.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2953
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
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