RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
31
Autour de 19% latence réduite
Raisons de considérer
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.6
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
31
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
15.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
3509
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link