RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
31
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
31
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3509
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link