RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
58
Wokół strony -76% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.6
4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
9.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
2286
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link