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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Razões a considerar
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
58
Por volta de -76% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
9.6
4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.6
1,950.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
33
Velocidade de leitura, GB/s
4,241.0
9.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,950.7
8.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
651
2286
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
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Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
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