RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
32
Autour de 22% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
11.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
32
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
11.3
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
9.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
2395
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link