RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
32
Intorno 22% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
11.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.1
9.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
32
Velocità di lettura, GB/s
16.1
11.3
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
9.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
2395
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link