RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
37
Autour de 32% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
14
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
37
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
14.0
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
9.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
2277
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link