RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
37
En 32% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
14
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
9.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
37
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
14.0
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
9.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
2277
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link