RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
25
Autour de -14% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.7
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
22
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
17.6
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
2902
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link