RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
25
Около -14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.6
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
22
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
17.6
Скорость записи, Гб/сек
10.1
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2902
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link