RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB против Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Средняя оценка
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
51
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.9
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
34
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
14.9
Скорость записи, Гб/сек
8.2
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2182
2780
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link