SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB против Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Средняя оценка

Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB

Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Причины выбрать
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

43 53

Около 19% меньшая задержка

Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB

Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

16.5 12.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.6 8.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

43 53
Скорость чтения, Гб/сек

12.3 16.5
Скорость записи, Гб/сек

8.1 9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1706 2301

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB

Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB

Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

Super Talent F24EB8GS 8GB

Super Talent F24EB8GS 8GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB

Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB

модули RAM

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB

Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB

King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB

модули RAM

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB

SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB

модули RAM