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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
总分
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
总分
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
53
左右 19% 更低的延时
需要考虑的原因
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.5
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.6
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
53
读取速度,GB/s
12.3
16.5
写入速度,GB/s
8.1
9.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1706
2301
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB RAM的比较
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OCZ OCZ3G16002G 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Kingston XRGM6C-MIE 16GB
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Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
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