RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
11.8
8.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
48
51
Около -6% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
15.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
48
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
17.5
Скорость записи, Гб/сек
11.8
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
25600
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2196
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link