RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
30
Autour de 17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
16
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
12800
Autour de 1.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
30
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
23400
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
2709
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link