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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
30
左右 17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
16
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.3
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
12800
左右 1.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
30
读取速度,GB/s
16.1
16.0
写入速度,GB/s
10.1
12.3
内存带宽,mbps
12800
23400
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2709
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
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G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
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Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
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Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
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Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
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