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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Différences
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Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
25
Autour de -32% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.7
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.2
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
19
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
18.7
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
14.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
3220
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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