RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
25
Autour de -9% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.1
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
23
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
2922
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link