RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
25
Autour de -14% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
21
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
19.6
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
22
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
21.0
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
19.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
4240
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9965516-421.A00LF 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link